Питання з навчальної дисципліни «Електроніка та мікросхемотехніка»
для студентів II курсу освітнього напряму «Інформаційна безпека»
на 1-й модульний контроль
Питаний 1-го рівня складності
1. Які електрони приймають участь в хімічних і електричних процесах ?
2. В яких межах знаходиться значення питомої електропровідності для напівпровідників?
3. Як змінюється дифузійна ємність переходу при збільшенні прямої напруги?
4. Який механізм електричного пробою характерний для п-р переходів з низьким питомим опором?
5. Які електрони мають більшу енергію, ті що розташовані ближче, чи ті що більш віддалені від ядра атома?
6. В яких межах знаходиться значення питомої електропровідності для діелектриків?
7. Домішки яких речовин забезпечують діркову домішкову електропровідність напівпровідників?
8. У скільки разів збільшується зворотний струм германієвого діода при підвищенні температури на 10 °С?
9. Що відбувається коли електрон в атомі переходить з більш високого енергетичного рівня на нижчий?
10. Який заряд набуде атом напівпровідника, коли валентний електрон перейде в зону провідності?
11. Як змінюється питома електропровідність напівпровідників при збільшенні температури?
12. Якими носіями заряду визначається тепловий некерованнн струм колектора біполярного транзистора?
13. Електрони якої енергетичної зони твердого тіла забезпечують його електропровідність?
14. Які типи електропровідності властиві для напівпровідників?
15. Які носії заряду в домішкових напівпровідниках називаються основними?
16. У скільки разів збільшується зворотний струм кремнієвого діода при підвищенні температури на 10 °С?
• 17.. Що відбувається з електроном коли атом поглинає один квант енергії?
18. В якому напрямку, по відношенню до дірок, переміщуються електрони в напівпровідниках під дією електричного поля?
19. Домішки яких речовин забезпечують електронну домішкову електропровідність напівпровідників?
20. В діелектриках чи в напівпровідниках менша ширина забороненої зони?
21. Які напівпровідники називаються власними?
22. Як називаються домішки, атоми яких віддають електрони в зону провідності?
23. Якою залежністю описується початкова ділянка вольт-амперної характеристики напівпровідникового діода?
24. Якою залежністю описується початкова ділянка вольт-амперної характеристики діода Шоткі?
25. Якою залежністю описується вольт-амперпа характеристика реального напівпровідникового діода?
26. Яку геометричну фігури утворюють атоми кристалічної ґратки кремнію або германію?
27. Як називаються домішки, атоми яких захоплюють електрони від сусідніх атомів напівпровідника?
28. За яким законом змінюється надлишкова концентрація носіїв заряду вздовж напівпровідника?
29. Як змінюється бар'єрна ємність п-р переходу при збільшенні зворотної напруги?
30. В яких межах знаходиться значення питомої електропровідності для металІв7
31. Який фізичний зміст коефіцієнта рухливості електронів і дірок?
32. Яка повинна бути концентрація донорннх або акценторних домішок, щоб переважала домішкова електропровідність?
33. Якими носіями заряду визначається струм в п-р переході при зворотній напрузі?
34. Якими носіями заряду визначається струм в п~р переході при прямій напрузі?
35. Що таке критична температура домішкового напівпровідника?














Питання II-го рівня складності
1. Електрони н твердих тілах.
2. Структура напівпровідника його кристалічна гратка, ковалентні зв'язки. 3.Електронна і діркова електропровідність напівпровідників.
4. Власна питома електропровідність напівпровідників.
5. Схеми енергетичних рівнів електронів в металах, діелектриках і напівпровідниках. .6. Дифузія носіїв заряду в напівпровідниках.
7. Дрейф носіїв заряду в напівпровідниках.
8. Електронна домішкова електропровідність напівпровідників.
9. Діркова домішкова електропровідність напівпровідників.
10. Основні і неосновні носії заряду в домішкових напівпровідниках, співвідношення між ними.
11. Електронно дірковий п-р перехід при відсутності зовнішньої напруги.
12. Електронно дірковий п-р перехід при прямій і напрузі.
13. Електронно дірковий п-р перехід при зворотній напрузі.
14. Вольт-амперна характеристика ідеального напівпровідникового п-р переходу.
15. Вольт-амперна характеристика реального напівпровідникового п-р переходу.
16. Порівняння прямих ділянок вольт-амперних характеристик германієвих і кремнієвих діодів.
17. Пробій п-р переходу, види пробою.
18. Смності п-р переходу
19. Температурні властивості напівпровідникового діода.
20. Вплив температури на вольт-амперну характеристику напівпровідникового діода.
21. Еквівалентна схема заміщення напівпровідникового діода для змінного струму.
22. Випрямляючі напівпровідникові діоди (характеристики, параметри).
23. Германієві та кремнієві випрямляючі напівпровідникові діоди.
24. Порівняльна характеристика параметрів германієвих і кремнієвих випрямляючих напівпровідникових діодів. '
25. Основні способи формування сплавних п-р переходів.
26. Основні способи формування дифузійних п-р переходів.
27. Основні способи формування точкових п-р переходів.
28. Послідовне і паралельне ввімкнення напівпровідникових діодів. '29> Робочий режим і робоча характеристика напівпровідникового діода.
30. Високочастотні діоди.
31. Імпульсні діоди (особливості побудови, характеристики, параметри).
32. Імпульсні діоди з мікросплавннм п-р переходом (побудова, параметри, застосування).
33. Імпульсні планарно-епітаксіальні кремнієві діоди.
34. Мезадіоди (побудова,.параметри, застосування).
35. Діоди Шоткі (особливості побудови, параметри, застосування).