НУ "Львівська політехніка"
Базовий напрям "Інформаційна безпека"
Білет N 6
Чи залежать сталі часу ?? і ?? транзистора від його граничної частоти f? ?
(так,ні)
2. Що зміниться в спектрі періодичного сигналу, якщо початок координат змістити на половину періоду?
а) середня потужність сигналу;
б) початкові фази гармонічних складових;
в) амплітуди гармонічних складових;
г) нічого не зміниться.
3. Чи можна використати безмаркерний метод групової синхронізації при стартстопному способі передачі?
а) так;
б) ні.
4. Вкажіть помилковий запис мовою Паскаль:
а) 1>4 б) 1.5<3 в) x<7.8 г) x>0 or y=4
5. Регiстри загального призначення МП Intel 8080 - це регiстри B, C, D, E, H, L (так, нi)
6. Дата на документі проставляється :
виконавцем
начальником структурного підрозділу
особою, яка його підписує
7. Заходи щодо охорони державної таємниці:
Не плануються
Плануються
8. Що означає розв’язати порівняння?
Розв’язати порівняння – означає знайти всі ті х, що задовольняють даному порівнянню, при цьому весь клас чисел за mod m вважається одним розв’язком.
9. Записати функцію y=x1+x1x2+x1x2x3 у досконалій (цілковитій) диз'юнктивній нормальній формі.
EMBED Equation.3
10. Як може бути здійснена повна оцінка динамічних характеристик давача?
Динамічними називають характеристики давача, які проявляються при змінах вхідної величини. Повна їх оцінка може бути зроблена на основі рішення нелінійного диференціального рівняння, що пов’язує вхідну і вихідну величини: EMBED Equation.3
У багатьох випадках при лінійних характеристиках здавачів перехідні процеси в них можуть бути описані лінійними диференціальними рівняннями з постійними коефіцієнтами першого, другого порядку або відповідними передавальними функціями, частотними і перехідними характеристиками.
11. Опишіть організацію пам’яті програм та даних мікроконтролера AT90S2313.
Організація пам’яті
Організація пам’яті МК виконана по гарвардській архітектурі з розділеними адресними просторами пам’яті програм і пам’яті даних. Пам’ять даних складається з трьох областей: регістрової пам’яті (регістровий файл), статичного ОЗП і пам’яті EEPROM. Оскільки, регістрова пам’ять знаходиться в адресному просторі ОЗП, про ці дві області говорять як про одну. Області ОЗП та EEPROM розташовані у своєму власному адресному просторі (рис.).
EMBED Visio.Drawing.6
Рис. Структура пам’яті МК AT90S2313
Пам’ять програм
Пам’ять програм призначена для зберігання команд, що керують роботою МК, а також зберігання різних констант. Пам’ять програм в МК AVR представляє собою Flash-ПЗП, з кількістю циклів перезапису – не менше 1000. Оскільки більшість команд займають в пам’яті 16 біт пам’ять програм має 16-розрядну організацію. Для адресації пам’яті програм використовується лічильник команд (РС – Program Counter). РС має ширину 10 біт і дозволяє адресувати 1024 слів пам’яті програм. За адресою 0х000 пам’яті програм знаходиться вектор скиду. Після скиду МК виконання програми починається з цієї адреси.
Пам’ять даних
Пам’ять даних МК складається з трьох частин: регістрова пам’ять, оперативна пам’ять, EEPROM.
Регістровий файл містить 32 8-розрядних РЗП R0-R31, з адресами від 0х00 до 0х1F в області пам’яті даних. Ці регістри використовуються АЛП у арифметичних і логічних операціях. До цих регістрів можна також звертатись як до звичайних комірок пам’яті. Шість з 32 регістрів файлу – R26…R31 – можна використовувати як три 16-розрядні покажчики адреси у процесі непрямого адресування даних. Один із цих покажчиків (Z Pointer) застосовують для доступу до даних, записаних у пам’яті програм МК. Ці так звані індексні регістри позначаються як X, Y, Z і визначені наступним чином:
EMBED Visio.Drawing.6
В області регістрів вводу-виводу (РВВ) розташовані різні службові регістри (регістр покажчика стеку, регістр стану та ін.), а також регістри управління периферійними пристроями МК. До регістрів В/В можна звертатися двома способами: як власне до регістрів (з допомогою команд IN та OUT) і як до комірок ОЗП. В першому випадку використовуються адреси РВВ з простору В/В (0х00…0х3F). В другому випадку адресу РВВ треба збільшити на 0х20.
ЕEPROM
МК AT90S2313 має у своєму складі енергонезалежну пам’ять ЕEPROM об’ємом 128 байт. Час запису лежить в діапазоні 2.5…4 мс і залежить від напруги живлення. Використовується для зберігання даних, які можуть змінюватись в процесі функціонування готової системи (калібруючі константи, серійні номери, ключі і т.д.). Енергонезалежна пам’ять розташована в окремому адресному просторі, а доступ до неї здійснюється з допомогою певних РВВ: регістра управління ЕEPROM EECR, регістра адреси ЕEAR і регістра даних ЕEDR.
12. Відобразіть схему функціональних залежностей для реляційної БД продуктової крамниці. Наведіть відповідну ER-діаграму.
EMBED Visio.Drawing.6
13. Транзисторний ключ з спільним емітером знаходиться на границі насичення. Під дією закриваючої напруги в його базовому колі протікає зворотній струм Іб0 =2мА. Коефіцієнт передачі струму ? =40; напруга живлення Ек =10В; опір резистора в колекторному колі Rк =500 Ом. Визначити граничну частоту підсилення транзистора f?, якщо тривалість фронту виключення ключа t?1 не повинна перевищувати 400нс.
EMBED Equation.3
14. Для заданої схеми підсилювального каскаду на кремнієвому транзисторі розрахувати основні параметри каскаду на середніх частотах. Дано: Rг=10 Ом, Rе=1 кОм, Rк=5,1 кОм, Rн=20 кОм, r?б=200 Ом, Ее=1,7 В, Ек=10В, ?=50.
EMBED CorelFLOW.Document


Визначаємо струм емітера:
EMBED Equation.3
Знайдемо диференціальний опір емітера:
r EMBED Equation.3
Знайдемо вхідний опір:
R EMBED Equation.3 EMBED Equation.3
r EMBED Equation.3
r EMBED Equation.3
R EMBED Equation.3
4) Визначаємо коефіцієнт підсилення за напругою:
K EMBED Equation.3
R EMBED Equation.3
K EMBED Equation.3
Визначаємо коефіцієнт підсилення за струмом:
K EMBED Equation.3
Визначаємо вихідний опір каскаду:
R EMBED Equation.3 ¦ R EMBED Equation.3 EMBED Equation.3


Схвалено Методичною радою ІКТА
Протокол № 35 від 06.06.2007 р.
Заст. директора ІКТА П. Столярчук