Список літератури, використаної при складанні методичних вказівок та рекомендованої до застосування при виконанні курсової роботи 1. Грицьків Р.Д. Методичні вказівки до оформлення курсових робіт і проектів /основні вимоги/, Львів, ЛПІ, 1990. 2. Волошанська Н.Г., Сніцарук Л.А. Методичні вказівки до курсової роботи з дисципліни (Аналогові електронні пристрої(.-Львів, ДУ(ЛП(, 1994. 3. Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы: Справочник / С.В. Якубовский, Л.И. Ниссельсон, В.И. Кулешова и др. Под ред. С.В. Якубовского, - М.: Радио и связь, 1989. – 496 с. 4. Полупроводниковые приборы. Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. Справочник /А.А. Бококов, А.Б. Гинцевич, А.А. Зайцев и др. Под общ. ред. Н.Н. Горюнова. - М.: Энергоиздат, 1982. - 744 с. 5. Полупроводниковые приборы. Транзисторы малой мощности: Справочник /А.А. Зайцев, А.И. Миркин, В.В. Мокряков и др. Под ред. А.В. Голомедова. - М.: Радио и связь, 1989. – 384 с. 6. Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и большой мощности. Справочник: /А.А. Зайцев, А.И. Миркин, В.В. Мокряков и др., Под ред. А.В. Голомедова. -М.: Радио и связь, 1989. – 640 с. 7. Шило В.Л. Линейные интегральные схемы в радиоэлектронной аппаратуре. - М.: Советское радио, 1979. – 268 с. 8. Синклер Ян. Введение в цифровую звукотехнику. Пер. с анг. – М.: Энергоатомиздат, 1980. – 80 с. 9. Остапенко Г.С. Усилительные устройства. Учеб. пособие для вузов. – М.: Радио и связь, 1988. – 400 с. 10. Техника высококачественного звуковоспроизведения. /Н.Е. Сухов, С.Д. Бать, В.В. Колосов, А.Г. Чуканов. – К.: Техніка, 1985. – 160 с. 11. Верекин Л.Е. Бестрансформаторные усилители мощности. – М.: Радио и связь, 1984. – 128 с. 12. Цыкина А.В. Электронные усилители. – М.: Радио и связь, 1982. – 288 с. 13. Аскаев Д.И., Болотников В.А. Функциональные узлы высококачественного звуковоспроизведения. – М.: Радио и связь, 1989. – 288 с. 14. Проектирование транзисторных усилителей звуковых частот./Безладнов Н.Л., Герценштейн Б.Я., Котелов Д.К. Под ред. Н.Л. Безладнова. – М.: Связь, 1978. – 368 с. 15. Войшвилло Г.В. Усилительные устройства. Учебник для вузов. – М.: Радио и связь, 1983. – 264 с. 16. Мандзій Б.А., Желяк Р.І. Основи аналогової мікросхемотехніки. Посібник для студентів радіотехнічних спеціальностей вузів України. /Під ред. д.т.н., проф. Мандзія Б.А., - Львів, (Тезаурус(, 1993. – 186 с. Додаток 1 Основні параметри рекомендованих біполярних транзисторів для ПНЧ. Тип транзистора Провід- ність UКД В IКД мА РКД мВт h21E CK пФ ( пс FT МГц IOK мкА
КТ315В п-р-п 40 100 150 30-120 7 500 250 1
КТ315Б п-р-п 35 100 150 50-150 7 500 250 1
КТ315Д п-р-п 40 100 150 20-90 7 1000 250 1
КТ361Б р-п-р 40 100 150 40-160 7 1000 250 1
КТ361Г р-п-р 35 100 150 50-150 7 500 250 1
КТ361Д р-п-р 40 100 150 30-90 7 250 250 1
КТ3102В п-р-п 30 100 250 200-500 6 100 300 0,1
КТ3102Г п-р-п 20 100 250 400-1000 6 100 300 0,1
КТ3102Д п-р-п 30 100 250 200-500 6 100 300 0,1
КТ3107B р-п-р 25 100 300 70-140 7 250 200 0,1
КТ3107Г р-п-р 25 100 300 120-220 7 250 200 0,1
КТ3107Д р-п-р 25 100 300 180-400 7 250 200 0,1
КТ339А п-р-п 25 25 260 25-80 2 2500 300 1,0
КТ3108Б р-п-р 45 200 300 50-150 2 250 450 0,1
КТ3108В р-п-р 45 200 300 100-300 2 250 450 0,1
КТ814А р-п-р 25 1500 1000 40-80 60 5500 3 50
КТ814Б р-п-р 40 1500 1000 40-80 60 5500 3 50
КТ814В р-п-р 60 1500 1000 40-80 60 5500 3 50
КТ814Г р-п-р 80 1500 1000 30-60 60 5500 3 50
КТ815А п-р-п 25 1500 1000 40-80 60 5500 3 50
КТ815Б п-р-п 40 1500 1000 40-80 60 5500 3 50
КТ815В п-р-п 60 1500 1000 40-80 60 5500 3 50
КТ816Г п-р-п 80 1500 1000 30-60 60 5500 3 50
Додаток 2 Основні параметри рекомендованих польових транзисторів для ПНЧ. Тип транзистора Провід- ність UСД В IСД мА РСД мВт S мА/B C11 пФ С12 пФ Iс0 мА Uп В FT мГц IOK нА
Додаток 3 Основні параметри рекомендованих операційних підсилювачів ПНЧ Тип ОП ЕЖ В RH кОм IСП мА ( В/мкс К0 FT мГц UH B
К140УД16 ±12,6 5 12 0,2 20000 8 5,7
К140УД5Б ±15 5 8 3,0 25000 5 5
К140УД6 ±15 1 3 2,0 50000 1 12
К140УД8 ±15 2 5 2,0 20000 1 10
К140УД20 ±15 2 3,0 0,3 25000 0,5 11
КГ44УД2 ±15 2 5,0 20 50000 10 10
К574УД1 ±15 2 5,0 50 50000 10 10
Додаток 4 Переведення частотних спотворень у відносних одиницях в децибели.
М МДБ М МДБ М МДБ М МДБ
1 0,000 1,055 0,465 1,14 1,138 1,36 2,671
1,005 0,043 1,060 0,506 1,16 1,282 1,38 2,798
1,010 0,086 1,065 0,547 1,18 1,438 1,40 2,923
1,015 0,129 1,070 0,588 1,20 1,584 1,42 3,046
1,020 0,172 1,75 0,628 1,22 1,727 1,44 3,167
1,025 0,214 1,080 0,668 1,24 1,858 1,46 3,287
1,030 0,257 1,085 0,709 1,26 2,007 1,48 3,405
1,035 0,293 1,090 0,749 1,28 2,144 1,50 3,522
1,040 0,341 1,095 0,7888 1,30 2,279 1,60 4,082
1,045 0,382 1,10 0,828 1,32 2,411 1,80 5,105
1,050 0,424 1,12 0,984 1,34 2,542 2,0 6,020
Додаток 5 Переведення частотних спотворень в децибелах у відносні одиниці М= 10 0,05(МДБ МДБ М МДБ М МДБ М МДБ М
0 1 0,65 1,078 1,6 1,202 2,9 1,396
0,05 1,006 0,70 1,084 1,7 1,215 3,0 1,413
0,10 1,012 0,75 1,090 1,8 1,230 3,5 1,496
0,15 1,017 0,80 1,096 1,9 1,245 4,0 1,585
0,2 1,023 0,85 1,103 2,0 1,259 4,5 1,679
0,25 1,029 0,90 1,109 2,1 1,274 5,0 1,778
0,30 1,035 0,95 1,116 2,2 1,288 5,5 1,884
0,35 1,041 1,0 1,122 2,3 1,303 6,0 1,995
0,40 1,047 1,1 1,136 2,4 1,318 7,0 2,238
0,45 1,053 1,2 1,148 2,5 1,334 8,0 2,512
0,50 1,059 1,3 1,161 2,6 1,349 10,0 3,162
0,55 1,065 1,4 1,175 2,7 1,366 12,0 3,981
0,60 1,072 1,5 1,189 2,8 1,380 15,0 5,623
Додаток 6. Стандартні ряди для вибору номінальних величин опорів резисторів та ємностей конденсаторів Ряд Е24 (допуск на точність ( 5%) для вибору номінальних значень опорів резисторів та ємностей конденсаторів, коефіцієнти якого наступні: 1,0; 1,1; 1,2; 1,3; 1,5; 1,6; 1,8; 2,0; 2,2; 2,4; 2,7; 3,0; 3,3; 3,6; 3,9; 4,3; 4,7; 5,1; 5,6; 6,2; 6,8; 7,5; 8,2; 9,1. Ряд Е12 (допуск на точність ( 10%) для вибору номінальних значень опорів резисторів та ємностей конденсаторів, коефіцієнти якого наступні: 1,0; 1,2; 1,5; 1,8; 2,2; 2,7; 3,3; 3,9; 4,7; 5,6; 6,8; 8,2. Ряд Е6 (допуск на точність ( 20%) для вибору номінальних значень опорів резисторів та ємностей конденсаторів, коефіцієнти якого наступні: 1,0; 1,5; 2,2; 3,3; 4,7; 6,8. Ряд Е3 для вибору номінальних значень електролітичних конденсаторів, коефіцієнти якого наступні: 1,0; 2,2; 4,7. Ряд Е3 для вибору номінальних значень окремих типів електролітичних конденсаторів (К50-16, К50-35), коефіцієнти якого наступні: 1,0; 2,0; 5,0. Додаток 7 Приклад оформлення переліку розрахованих елементів Позначення Найменування К-ть Примітка
Конденсатори
С1 К50 –35 – 16В – 100 мкФ 1
С2 К50 – 16 – 25В – 20 мкФ 1
С3 К10 – 17 – Н30 – 0,1 мкФ ± 20% 1
С4 К10 – 23 – М1500 – 2200пФ±10% 1
Мікросхеми
DА1 Мікросхема К140УД815 1
Резистори
R1 C2–23–0,25 – 10 кОм ± 5% 1
R2 C2–23–0,25 – 1 МОм ± 5% 1
R3 CП3–38–0,25 – 2,2 кОм ± 20% 1
R4 СП5–16ТА–0,25 – 4,7кОм ± 20% 1
R5 C2– 23–2 – 1,5 Ом ± 5% 1
Напівпровідникові елементи
VD1 Діод KД503А 1
VT1 Транзистор КТ361В 1
VT2 Транзистор КП302Б 1
Додаток 8 Міністерство освіти і науки України Національний університет (Львівська політехніка( Інститут телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки КУРСОВА РОБОТА з дисципліни (Аналогові електронні пристрої( на тему:(Підсилювач низької частоти( Виконав: ст. гр. РТ – 33 Перевірив: Прийняв: Львів, 2005 р.
Навчальне видання Методичні вказівки до курсової роботи з дисципліни "Аналогові електронні пристрої” для студентів базового напряму 7.0907 – “Радіотехніка” Укладачі: Іван Ількович Блажкевич, Володимир Іванович Шклярський Редактор Коректори
