Реферат на тему:
Генерування та підсилення НВЧ. Підсилювач на тунельному діоді.
ВАХ EMBED Equation.3 тунельного діоду має від’ємну ділянку, де EMBED Equation.3 . Будь-який діод можна представити еквівалентною схемою:
EMBED Equation.3
EMBED Equation.3
EMBED Equation.3
EMBED Equation.3
EMBED Equation.3
EMBED Equation.3
EMBED Equation.3



EMBED Equation.3
EMBED Equation.3
EMBED Equation.3
EMBED Equation.3
EMBED Equation.3
EMBED Equation.3
EMBED Equation.3
EMBED Equation.3
В термінах цієї схеми буде EMBED Equation.3 (тут ми врахували опір переходу EMBED Equation.3 ). Звичайні значення EMBED Equation.3 . Підрахуємо загальний опір діоду EMBED Equation.3 . Знехтуємо паразитичною ємністю EMBED Equation.3 , тоді EMBED Equation.3 , тут введено позначення: EMBED Equation.3 , EMBED Equation.3 . У формулі EMBED Equation.3 - по модулю, тобто його від’ємність вже враховано. Графічний вигляд опору чи іншої комплексної величини, де параметром є частота, представляється годографом. Зобразимо його:




EMBED Equation.3 - це резонансна частота діода, вона відповідає чисто реактивному опору. EMBED Equation.3 - гранична частота, на якій опір перестає бути від’ємним.
Може бути картина, коли EMBED Equation.3 <0, тоді наступає самозбудження, оскільки тут резонанс і від’ємний опір. Щоб запобігти цьому, вводять стабілізуючі ланки для обмеження смугу частот від’ємного опору:
EMBED Equation.3
EMBED Equation.3
EMBED Equation.3




На резонансній частоті контуру EMBED Equation.3 опір всієї ланки EMBED Equation.3 ,а на всіх інших частотах: EMBED Equation.3 .Таким чином, маємо два паралельно з’єднані опори. Один з них EMBED Equation.3 , EMBED Equation.3 , тоді сумарний опір EMBED Equation.3 .
EMBED Equation.3
EMBED Equation.3
EMBED Equation.3
EMBED Equation.3
EMBED Equation.3
EMBED Equation.3
EMBED Equation.3
Тоді при EMBED Equation.3 буде EMBED Equation.3 , підсилення не буде. Тепер годограф буде мати інший вигляд, смуга буде на частотах EMBED Equation.3 .


Крім цих елементів, у схемі використовуються узгоджуючі трансформатори.
Коефіцієнт підсилення підсилювача на тунельному діоді EMBED Equation.3 . При цьому тут вхід та вихід не розв’язані, тому, по суті, коефіцієнт підсилення є коефіцієнтом відбиття. Такі підсилювачі нестійкі, нестабільні – параметрично залежать від навантаження.
Транзистор має розв’язані вхід та вихід (зв’язок порядку МОм). Тому зараз використовують саме транзистори.
Регенеративний підсилювач – це генератор в недозбудженому режимі.
Перевага транзисторів – триполюсна схема ( земля, вхід та вихід), хоча швидкодія гірша чим у діода.