Расчетно-Графическая работа ППД КД213А

Министерство высшего образования РФ.
Уральский государственный университет – УПИ
Кафедра "Технология и средства связи"
Расчетно-графическая работа
Полупроводниковый диод
«КД213А»
Преподаватель: Болтаев А.В.
Студент: Черепанов К.А.
Группа: Р-207
Екатеринбург
2000
Аннотация
В данной работе в табличной форме приводятся паспортные параметры
(электрические и предельные эксплуатационные) полупроводникового диода
КД213А, семейство вольт-амперных характеристик (ВАХ) при различных
температурах, расчетные соотношения R=, r~, C; расчитываются TKUпр, TKIобр
(температурные коэффициенты), rб (сопротивление базы). Приводится
малосигнальная, высокочастотная эквивалентная схема исследуемого диода.
Содержание
1. Краткая характеристика диода 4
2. Паспортные параметры: 4
2.1. Электрические 4
2.2. Предельные эксплуатационные 4
3. Вольт-амперная характеристика 5
3.1. При комнатной температуре 5
3.2. При повышенной 6
4. Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей
для Т=25°С 6
5. Определение величины TKUпрям TKIобр 6
6. Определение сопротивления базы rб 9
6.1. Приближенное 9
6.2. Точное 9
7. Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема 10
8. Библиографический список 10
9. Затраты времени на: 10
9.1. Информационный поиск 10
9.2. Расчеты 10
9.3. Оформление 10
Краткая характеристика диода
Диод кремниевый, диффузионный. Предназначен для преобразования
переменного напряжения частотой до 100 кГц. Выпускаются в
металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема
соединения электродов приводятся на корпусе. Отрицательный электрод
соединен с металлическим основанием корпуса.
Масса диода не более 4 г.
КД213А
Рисунок 1
Паспортные параметры:
Электрические
Постоянное прямое напряжение при Iпр=10А, не более:
Т=+25°С………………………………………………………...………………………………1В
Постоянный обратный ток при, не более:
Т=+25°С………………………………………………………...…………………………0,2мА
Время обратного восстановления при Uобр=20В, и Iпр, и=1А, и Iобр, и=0,1А:
КД213А…………………………………………………………...………………………300нс
Емкость диода, не более:
при Uобр=100 В………………………………………...……………………550 пФ
при Uобр=5 В………………………………………...……………………..1600 пФ
Предельные эксплуатационные
Постоянное (импульсное) обратное напряжение……………………..………200В
Постоянный (средний) прямой ток при RТ(П-С)? 1,5°С/Вт ……..…..………10А
Импульсный прямой ток при tи? 10мс, Q?1000………………...…………100А
Импульсный обратный ток при температуре корпуса от 213 до 358 К при
tи? 20мкс,………………...……………………………………………………………………..10А
Частота без снижения электрических режимов……………………………100кГц
Тепловое сопротивление
переход-среда: ……………………………….………………………………70К/Вт
переход-корпус: ……………………………….……………………………1,5К/Вт
Температура перехода: ……………………………………………………...+140°С
Температура окружающей среды: ……………………………………….-60°С…+85°С
Общая таблица параметров
Предельные значения параметров при
Т=25?С
T
k
m
a
x
(
T
п
м
а
х
)
[
Т
м
а
х
]
?
С
Значения параметров при Т= 25?С
R
т
п
-
к
,
?
С
/
В
т
I
п
р,
с
р
m
a
x
А
U
о
б
р
,
и
,
п
м
а
х
,
В
U
о
б
р
м
а
х
,
В
I
п
р
г
(
I
п
р
,
у
д
)
м
а
х
,
А
f
м
а
х
,
к
Г
ц
Uп
р
(U
пр,
ср)
[U
пр,
и],
В
tвос,
обр
(tвос
, обр
при
Tп
мах)
,
мкс
I
обр(I
обр,
ср) [I
обр,
и, п,
при Т
п
мах],
мА
Т
?
С
t
и
(t
п
р
),
м
с
Iп
р
(Iп
р,
ср)
[Iп
р,
и],
А
I
п
р
,
и
,
А
U
п
р
,
и
,
В
10
85
200
200
100
10
100
140
1
10
0,3
1
20
0,2
1,5
Вольт-амперная характеристика
При комнатной температуре
При повышенной
Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей
для Т=25°С
Зависимость R= от Uпр
Uпр
0,6
0,7
0,8
0,9
1
1,1
R=
0,3
0,2333333
0,16
0,1125
0,090909
0,073333
Зависимость r~ от Uпр
Uпр
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
r~
0,1
0,0666667
0,05
0,044444
0,038462
Зависимость R= от Uобр
Uобр
50
100
150
200
250
300
R=
3571429
6666666,7
8333333
4878049
2777778
1304348
Зависимость r~ от Uобр
Uобр
50
100
150
200
250
r~
50000000
25000000
5555556
2631579
1157407
Зависимость Cдиф от Uпр
Uпр
0,6
0,7
0,8
0,9
1
1,1
Сдиф
0,08
0,12
0,2
0,32
0,44
0,6
Зависимост Сб от Uобр
Определение величины TKUпрям TKIобр
Определение сопротивления базы rб
Приближенное
Точное
Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема
Библиографический список
1. Диоды и их зарубежные аналоги: Справочник. В 3-х томах. /Хрулев
А.К., Черепанов В.П.- Том 1-М.: ИП РадиоСофт, 1998-640с.
2. Справочник по полупроводниковым диодам/ Бородин Б.А.,
Дроневич В.М., Егорова Р.В. и др.; под ред. И.Ф. Николаевского.—М.:
Связь , 1979.– 432 с., ил.
3. Диоды. справочник/ О.П. Григорьев, В.Я. Замятин, Б.В. Кондратьев,
С.Л. Пожидаев.—М.: Радио и связь, 1990.—336 с.: ил.– (Массовая
радиобиблиотека. Вып. 1158)
4. Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, оптоэлектронные
приборы. Справочник / А.В. Баюков, А.Б. Гитцевич, А.А. Зайцев и др.;
Под общ. ред. Н.Н. Горюнова.–М.: Энергоиздат, 1982.– 744 с., ил.
5. Лекции по курсу «Физические Основы МикроЭлектронники»/
Черепанов К.А- под ред. Болтаев А.В. 2000.-50л.
Затраты времени на:
a) Информационный поиск-72 часf
b) Расчеты-1час (67 мин.)
c) Оформление- 6 часов (357мин.)
Зарубежный аналог КД213А - 1N1622 производства Sarkez Tarzian, США
2