Технологический маршрут изготовления простейшего
МДПвентиля с самосовмещенным затвором.
1.	Выращивание тонкого подзатворного диэлектрика.		
2.	Создание p+-охраны.		
3.	Локальное окисление.		
4.	Формирование поликремниевого затвора.		
5.	Ионное n+-легирование через тонкий диэлектрик.		
6.	Нанесение ФСС и вскрытие контактных окон.		
7.	Металлизация алюминием.		
8.	Пассивация.