Білет № 2
1-й рівень ( по 1 балу)
1. Чи може логічна функція мати декілька досконалих диз'юнктивних нормальних форм? ( так, ні )
2. Чи залежить тривалість звертання до пам’яті при зчитуванні від часу доступу до інформації?
( так, ні )
3. Які пристрої використовують для компандування сигналу?
а) скремблер - дискремблер;
б) компресор - експандер.
4. Вкажіть помилковий запис мовою Паскаль:
а) 1+4 б) 1.5+3 в) (x>5) and (x<7) г) 1 and 0
5. Пам’ять даних мікроконтролерів виконується на основі ОЗП статичного типу
( так, ні )
6. Назвіть основні вимоги, яким повинні відповідати системи безпеки.
7. Секретні матеріальні носії інформації зберігаються
В робочих столах працівників
В дерев’яних шафах працівників
В сейфах або металевих шафах режимно-секретного органу
8. Коли алгоритм Евкліда працює найдовше?
2-й рівень ( по 8 балів)
9. Привести схему коливного мультивібратора на операційному підсилювачі, часові діаграми, що ілюструють його роботу, вираз для тривалості вихідних імпульсів та періоду їх повторення; показати як можна змінювати шпаруватість вихідних імпульсів.
10. Максимальна частота частотно-модульованого сигналу дорівнює 20,1 МГц, несуча частота - 20 МГц, а частота модуляції 10 кГц. Визначити девіацію частоти та індекс модуляції.
11. Вказати з яких машинних циклів складається команда МП Intel 8080 JС 809АH і підрахувати кількість тактів у команді.
12. Що таке допуск і доступ до державної таємниці?
3-й рівень ( по 15 балів)
13. На вході насиченого транзисторного ключа зі спільним емітером діє керуюча напруга Е1=2В. Потім на вхід подано закриваючу напругу, яка викликає протікання в базовому колі зворотного струму І?о=1мА. Коефіцієнт передачі струму ?=50; гранична частота підсилення транзистора f?=10МГц; напруга живлення Еk =5В; опори резисторів в колекторному і базовому колах транзистора Rk=2кОм; R? =10кОм. Визначити тривалість процесу розсмоктування заряду неосновних носіїв в базі транзистора tp.
14. Побудувати схему підсилювального каскаду зі СЕ з фіксованим струмом бази. Розрахувати вихідний опір і вихідну напругу, якщо Ег=5 мВ, Rг=200 Ом, Rк=2 кОм, Rб>>h11, h11=1 кОм, h21=60, h22=15?10-5 См.