Лабораторна робота №24
Тема: дослідження каскаду попереднього підсилення на транзисторі.
Мета: вивчення роботи схеми і вивчення основних технічних показів низької частоти на транзисторі.
Схема транзистора.

Напруга живлення Ек = 10 В. Зняття амплітуди характеристики підсилювача Uвих=f(Uвх). Частоту звукового генератора установленого сталою f = 1000 Гц. Змінюючи величину Uвих від Uвх 0 -1 В вимірюють Uвих з показів осцилографа визнач. величину Uвих , при якій з’являються нелінійні спотворення.
Зняття частотної характеристики.
f = 100Гц (f - cons)
Uвх = 0,9 , (f =cons)
Rn=1.5kOm
R1=15kOm
Uвх
0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,81
0,9
1


Uвих
0,017
0,198
0,367
0,543
0,744
0,938
1,11
1,3
1,488
1,656
1,825

Rn=1.5kOm
Rn=33kOm
Uвх
0
01
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1


Uвих
0,02
0,186
0,355
0,548
0,754
0,935
1,109
1,297
1,489
1,65
1,72

Rn=510Om
Rn=15kOm
Uвх
0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1


Uвих
0,02
0,196
0,365
0,57
0,747
0,26
1,123
1,306
1,488
1,651
1,815

Rn510Om
Rn=33kOm
Uвх
0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1


Uвих
0,018
0,196
0,373
0,564
0,752
1,119
1,217
1,297
1,495
1,651
1,828


Rn=510 Om
f ,Гц
20
50
100
200
400
800
1500
2000
3000

Uвих,В
1,5
1,54
1,61
1.64
1.8
1.71
1.72
1.73
1.74

К,9Б=20lgU /U
4.437
4.666
4.998
5.212
5.369
5.524
5.625
5.676
5.726

f ,Гц
20
100
200
400
800
1500
2000
3000


Uвих,В
1.45
1.59
1.63
1.68
1.7
1.72
1.73
1.74


К,9Б=20lgU /U
4.143
4.943
5.159
5.421
5.524
5.626
5.676
5.726


f ,Гц
20
100
200
400
800
1500
2000
3000


Uвих,В
1.42
1.58
1.63
1.67
1.7
1.72
1.73
1.74


К,9Б=20lgU /U
3.96
4.888
5.159
5.369
5.524
5.626
5.676
5.726


f ,Гц
20
100
200
400
800
1500
2000
3000


Uвих,В
1.47
1.61
1.65
1.68
1.7
1.73
1.74
1.75


К,9Б=20lgU /U
4.262
5.052
5.265
5.421
5.524
5.676
5.726
5.776



Висновок: в процесі виконання роботи ми навчились визначати основні технічні покази каскаду низької частоти на транзисторі і вивчити роботу схеми. Оскільки в каскадах попереднього підсилення ставиться з межу максимальне підсилення потужності вхідного сигналу, тому в таких каскадах Rн<< R1. Резистор конденсатором достатньо великої ємності, це робиться для відведення змінної складової струму струму від резистора.