«ІНФОРМАЦІЙНА БЕЗПЕКА»
3 - РІВЕНЬ
Елементи дискретних пристроїв автоматики (Максимович)
1. На вхід транзисторного ключа з спільним емітером подано відкриваючу напругу Е1=5В. Коефіцієнт передачі струму ?=50; гранична частота підсилення транзистора f?=5МГц; напруга живлення Ек=10В; опори резисторів в колекторному і базовому колах транзистора Rk=1кОм; R?=5кОм.Визначити тривалість фронту включення ключа t?o.
2. На вході насичиного транзисторного ключа з спільним емітером діє керуюча напруга Е1=2В. Потім на вхід подано закриваючу напругу, яка викликає протікання в базовому колі зворотнього струму І?о=1мА. Коефіцієнт передачі струму ?=50; гранична частота підсилення транзистора f?=10МГц; напруга живлення Еk =5В; опори резисторів в колекторному і базовому колах транзистора Rk=2кОм; R? =10кОм. Визначити трива-лість процесу розсмоктування заряду неосновних носіїв в базі транзистора tp.
3. Транзисторний ключ з спільним емітером знаходиться на границі насичення. Під дією закриваючої напруги в його базовому колі протікає зворотній струм Iб=0.5мА. Коефіцієнт передачі струму ?=100; гранична частота підсилення транзистора f?=10МГц; напруга живлення Еk =10В; опір резистора в колекторному колі Rk=2кОм. Визначити тривалість фронту виключення ключа t1ф.
4. На вхід транзисторного ключа з спільним емітером подано відкриваючу напругу Е1 =2В. Коефіцієнт передачі струму ? =100; напруга живлення Ек =5В; опори резисторів в колекторному і базовому колах транзистора Rк =1кОм; Rб =5кОм. Визначити граничну частоту підсилення транзистора, f? якщо тривалість фронту включення ключа t?о не повинна перевищувати 100нс.
5. На вхід насиченого транзисторного ключа з спільним емітером діє керуюча напруга Е1=12.5В. Потім на вхід подано закриваючу напругу Еo, яка викликає протікання в базовому колі зворотнього струму I?o =2мА. Коефіцієнт передачі струму ?=50; напруга живлення Еk =5В; опори резисторів в колекторному і базовому колах транзистора Rk =1кОм; R? =2.5 кОм. Визначити граничну частоту підсилення транзистора f?, якщо тривалість розcмоктування заряду неосновних носіїв в базі tp не повинна перевищувати 200нс.
6. Транзисторний ключ з спільним емітером знаходиться на границі насичення. Під дією закриваючої напруги в його базовому колі протікає зворотній струм Іб0 =2мА. Коефіцієнт передачі струму ? =40; напруга живлення Ек =10В; опір резистора в колекторному колі Rк =500 Ом. Визначити граничну частоту підсилення транзистора f?, якщо тривалість фронту виключення ключа t?1 не повинна перевищувати 400нс.
Обчислювальна техніка (Максимович)
1. Синтезувати структурну схему управляючого автомату, якщо його функція переходів задана таблицею 1, а функція виходу - таблицею 2, для побудови використати JК-тригери та елементний базис І-НЕ.
табл. 1. табл. 2.
2. Синтезувати на базі JK-тригерів синхронний лічильник, що має таку послідовність зміни номерів станів: 0, 2, 1, 3, 5, 7, 6, 4, 0... .
Синтезувати структурну схему 4-розрядного синхронного регістра для виконання мікрооперацій:
запис слова паралельним кодом;
зсув інформації на один розряд вліво.
Для побудови використати синхронні JК-тригери та елементний базис І-НЕ.
4. Синтезувати структурну схему управляючого автомату, якщо його функція переходів задана таблицею 1, а функція виходу - таблицею 2, для побудови використати D-тригери та елементний базис АБО-НЕ.
табл. 1. табл. 2.
Теорія інформації (Журавель І.М.)
Представити просту війкову комбінацію 10111 кодом Хемінга та показати порядок виявлення будь-якої однократної помилки.
Закодувати двійковим циклічним кодом, що виправляє однократні помилки, кодову комбінацію двійкового простого коду 1110 та показати процес виправлення будь–якої однократної помилки в одержаній комбінації циклічного коду. Визначити надмірність коду.
Визначити кодову відстань між комбінаціями А і В двійкового коду та записати всі комбінації, які знаходяться від комбінації А на кодовій віддалі d=3, коли А=01001, В=11101.
EMBED Equation.3 EMBED Equation.3  EMBED Equation.3 EMBED Equation.3 EMBED Equation.3  EMBED Equation.3 0,10,20,3 EMBED Equation.3 0,2500,15
Ансамблі повідомлень EMBED Equation.3 та EMBED Equation.3 об’єднані. Ймовірності сумісних подій EMBED Equation.3 приведені в таблиці. Визначити:
а) ентропію повідомлень EMBED Equation.3 та EMBED Equation.3 ;
б) ентропію об’єднаного ансамблю EMBED Equation.3 , EMBED Equation.3 ;
в) умовні ентропії ансамблів.
Основи збору, передавання та
обробки інформації (Р.Джала)
Зобразіть епюр амплітудно-імпульсно модульованого (АІМ) сигналу, коли шпаруватість ?=4; визначте період дискретизації Тд , при якому можливе повне відновлення неперервного сигналу uc(t), якщо найбільша частота спектру первинного сигналу Fc = 3 КГц.
Зобразіть епюр широтно-імпульсно модульованого (ШІМ) сигналу, коли шпаруватість несучої послідовності імпульсів ? =6 ; визначте тактову частоту fт , за якої можливе повне відновлення первинного неперервного сигналу uc(t) зі спектром у діапазоні від 200 Гц до 2 КГц.
Визначте напругу сигналу та абсолютний рівень потужності на виході лінії, якщо напруга на вході провідної лінії зв’язку, що має хвильовий опір 50 Ом, дорівнює 7,3 В. Довжина лінії 50 км, погонне згасання 0,04 Нп/км.
Визначте необхідну кількість проміжних підсилювальних пунктів (ППП) для здійснення телефонного зв’язку на віддаль 300 км кабельною лінією з погонним заниканням сигналу 0,02 Нп/км. Дальність безпосереднього телефонування обмежується заниканням 1,2 Нп. Побудуйте діаграми рівнів, якщо допустимий рівень на виході кожного ППП становить 0 Нп відносно входу.
Елементи та пристрої автоматики (Стрілецький З.М.)
1. Побудувати залежність зміни напруги на затискачах якоря тахометра постійного струму від частоти обертання, якщо коефіцієнт підсилення Кпідс = 10мВ/(об/хв), опір якоря Rя = 2Ом, опір навантаження Rн = 500кОм, частота обертання холостого ходу п0 = 5000 об/хв.
2. Генератор незалежного збудження має наступні номінальні дані: Рн =20кВт, UH = 230В, опір кола збудження Rзб =16Ом, опір кола якоря Rя =0,18 Ом, потужність втрат у сталі та механічних втрат Рст + Рмех = 900 Вт, напруга кола збудження Uз6 = 110 В.
Визначити ЕРС генератора і напругу на його затискачах при навантаженнях, що дорівнюють 100% і 50%.
3. Для двигуна паралельного збудження відомі наступні номінальні величини: Рн = 8 кВт, U = 110 В, ?н = 1000 об/хв; Iн = 86 А, Rя = 0,05 Ом; Rз6 = 32 Ом.
Визначити втрати потужності, ККД, обертальний момент у номінальному режимі.
4. Визначити частоту ЕРС і струму у роторі асинхронного електродвигуна f2, якщо частота струму у обмотці статора f1 = 50 Гц, кількість пар полюсів р=2, а номінальна частота обертання ротора пн =1470 об/хв.
Алгоритмічні мови та програмування (Отенко В.І.)
1. Написати програму на мові Сі для визначення суми значень елементів над головною діагоналлю матриці А={аij}, де i=j=15. Ввід елементів матриці здійснити з клавіатури.
2. Написати програму на мові Сі для визначення добутку значень елементів під головною діагоналлю матриці А={аij}, де i=j=12. Ввід елементів матриці здійснити з клавіатури.
3. Написати програму на мові Сі для визначення максимального елемента над допоміжною діагоналлю матриці А={аij}, де i=j=25. Ввід елементів матриці здійснити з клавіатури.
4. Написати програму на мові Сі для визначення мінімального елемента під допоміжною діагоналлю матриці А={аij}, де i=j=23. Ввід елементів матриці здійснити з клавіатури.
5. Написати програму на мові Сі для визначення добутку значень елементів над допоміжною діагоналлю матриці А={аij}, де i=j=47. Ввід елементів матриці здійснити з клавіатури.
6. Написати програму на мові Сі для визначення суми значень елементів під допоміжною діагоналлю матриці А={аij}, де i=j=28. Ввід елементів матриці здійснити з клавіатури.
Електроніка і мікросхемотехніка (Вітер О.С.)
1. Використовуючи кремнієвий стабілітрон (Uст=8 В, rд=10 Ом,
Іст min =3 мА), побудувати параметричний стабілізатор постійної напруги і розрахувати його основні параметри: Кст, Rвих, ?. Дано: Uвих=16 В, Uвх=32 В, Rн=1,6 кОм.
2. Скласти схему генератора гармонічних коливань на ОП з симетричною триелементною фазоповертаючою RC-ланкою та розрахувати параметри елементів схеми, якщо fг =3кГц, Uвих=5В, Rн =100 Ом.
3. Для підсилювального каскаду з спільним емітером розрахувати нестабільність колекторного струму при зміні температури оточуючого середовища від 20оС до 50оС. Дано: Rк=1 кОм, Rе=510 Ом, Rб1=39 кОм, Rб2=16 кОм, ?=50, Іко=5 мкА (?Т=20оС), ??/??Т =2 10-4 1/ºС, Іок =5 мА.
4. Розрахувати значення вхідного опору підсилювального каскаду на польовому транзисторі для робочої частоти fр=20 кГц. Дано: Rс=2 кОм, Rн= 5 кОм, Rз=1 Мом, S=7мА/В, ССЗ=2 пФ, СВЗ=8 пФ.
EMBED Visio.Drawing.6
Для наведеної схеми компенсаційного стабілізатора постійної напруги розрахувати коефіцієнт стабілізації напруги і вихідний опір. Дано: Ін=100 мА, ?н=0,2, ?=80, rк=10 кОм, r?б=100 Ом, rд=10 Ом.
EMBED CorelFLOW.Document


EMBED CorelFLOW.Document
Для заданої схеми підсилювального каскаду на кремнієвому транзисторі розрахувати основні параметри каскаду на середніх частотах. Дано: Rг=10 Ом, Rе=1 кОм, Rк=5,1 кОм, Rн=20 кОм, r?б=200 Ом, Ее=1,7 В, Ек=10В, ?=50.

Мікропроцесорні пристрої (Совин Я. Р.)
1. Скласти принципову схему модуля пам’яті для мікро-ЕОМ на мікропроцесорі Intel 8080 якщо для ПЗП об’ємом 8 Кбайт виділена ділянка пам’яті 0000Н-1FFFH, а ОЗП об’ємом 16 Кбайт виділено ділянку 2000Н-5FFFН. У Вашому розпорядженні є така елементна база:
а) дешифратор

а) мікросхема ПЗП з організацією 8 К х 8

б) мікросхема ОЗП з організацією 16 К х 8
EMBED Visio.Drawing.6

г) інвертори (НЕ)

д) двовходові схеми АБО
EMBED Visio.Drawing.6
е) двовходові схеми І
EMBED Visio.Drawing.6
2. Cкласти принципову схему інтерфейсу для вводу даних від зовнішнього пристрою, що супроводжується стробом, в комп’ютер на основі мікропроцесора Intel 8080 та написати підпрограму вводу, якщо у Вашому розпорядженні є така елементна база:
а) 8-розрядні регістри

б) дешифратори

в) схеми АБО
EMBED Visio.Drawing.6
г) схеми І-НЕ
EMBED Visio.Drawing.6
д) RS-тригери

при таких умовах:
а) рівень стробу РС - низький;
б) розрядність даних РД - 8;
в) адреси елементів інтерфейсу АЕІ задати в полі F0 – F3
3. Скласти принципову схему та написати програму на мові асемблер відображення номеру натиснутої кнопки SW1-SW4 з допомогою світлодіодів HL3-HL1 для мікроконтролера AT90S2313 згідно таблиці:
Тактова частота мікроконтролера 4 МГц, спад напруги на світлодіоді – 2 В.
4. Скласти принципову схему та написати програму на мові асемблер для мікроконтролера AT90S2313 відображення номеру натиснутої кнопки SW1-SW4 з допомогою 10-розрядного рідкокристалічного дисплею на основі контролера НТ1611 з заданою таблицею відображення:
а) рідкокристалічний дисплей на базі контролера НТ1611

Тактова частота мікроконтролера 4 МГц, напруга живлення дисплею – 1,5 В.
Організаційно-технічне забезпечення
систем захисту інформації (Ломницький І.)
Охарактеризуйте безпровідні системи охорони, наведіть порівняльну характеристику безпровідних та традиційних провідних систем охорони.
Наведіть основні етапи проектування систем безпеки, коротко охарактерезуйте кожен з етапів.
Опишіть фізичну природу виникнення та охарактеризувати можливі шляхи утворення вібро – акустичного (вібраційного), оптико – електронного та електро – акустичного каналів витоку інформації.
Опишіть фізичну природу виникнення та охарактеризувати можливі шляхи утворення каналу побічних електромагнітних випромінювань і наводів, радіотехнічного, параметричного та хімічного каналів витоку інформації.
Бази даних та знань (Досин Д.Г.)
1. Дайте визначення реляційної алгебри та вкажіть які елементи її складають. Перечисліть правила визначення схеми результату реляційного виразу.
2. Дайте визначення домена. Наведіть приклад. Дайте визначення операції доповнення відношення. Що таке активний домен? Що таке активне доповнення?
3. Перечисліть булеві операції над відношеннями. Наведіть приклади, що їх ілюструють. Дайте визначення та поясніть на прикладі зміст операції поділу відношень.
4. Дайте визначення та поясніть зміст операцій вибору, проекції, з'єднання та еквіз'єднання. У чому відмінність операцій з’єднання та еквіз’єднання?
Алгоритмічні основи криптології (Лагун А.Е.)
Знайти максимальну та мінімальну складність обчислення функції F(x)=x6-x4+x2.
Написати програму мовою Сі, що реалізує функцію піднесення до степеня f(x)=xd бінарним методом.
Написати програму мовою Сі, що будує таблицю простих чисел за допомогою решета Ератосфена.
Розкласти в ланцюговий дріб число ?=5391/3976. Обчислити перші п’ять прямуючих дробів.
Методи та засоби захисту інформації (Пархуць Л.Т.)
Які типи фільтрів використовують для захисту інформації? Розрахуйте ослаблення фільтра А, якщо значення інформаційного сигналу на вході становить UВХ = 75В, а на виході – UВИХ = 0.5В. (с. 34)
Основні вимоги до захисних фільтрів. Розрахуйте ослаблення фільтра А, якщо потужність інформаційного сигналу на вході становить РВХ = 75Вт, а на виході – РВИХ = 0.5Вт. (с.34-35)
Пасивні методи захисту акустичної інформації від витоку через електроакустичний канал телефонного апарату. (с.56-57)
Активні методи захисту акустичної інформації від витоку через електроакустичний канал телефонного апарату. (с.58).
Екранування технічних засобів. Призначення та основні види екранування. (с.18-19)
Організаційні заходи захисту інформації від витоку по технічних каналах. (с.10)